专利详情

专利名称	一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
申请号	CN201610404270.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106067656A	公开（授权）日	2016.11.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	徐天鸿;黎华;曹俊诚
主分类号	H01S5/026(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/026(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I
专利有效期	一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法至一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz?QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。