专利详情

专利名称	一种量子干涉器件结构及其制备方法
申请号	CN201610404295.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106058036A	公开（授权）日	2016.10.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;杨鹏;谢晓明;江绵恒
主分类号	H01L39/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/00(2006.01)I;H01L39/16(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	一种量子干涉器件结构及其制备方法至一种量子干涉器件结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS₂等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。