CMOS整流二极管电路单元
- 申请号:CN201510058455.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN105991002A
- 公开(公开)日:2016.10.05
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | CMOS整流二极管电路单元 | ||
申请号 | CN201510058455.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN105991002A | 公开(授权)日 | 2016.10.05 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘欣;刘昱;张海英 |
主分类号 | H02M1/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H02M1/06(2006.01)I |
专利有效期 | CMOS整流二极管电路单元 至CMOS整流二极管电路单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元,包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源;所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连,并一起连接到整流二极管单元的正端,所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连,所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起,并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连;所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连,并一起连接到整流二极管单元的负端,所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压,而且具有非常低的反向漏电,适用于在超低功耗整流电路中,可有效提高整流电路的效率。 |
交易流程
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专利 -
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