太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
- 申请号：CN201510100794.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105987757A
- 公开(公开)日：2016.10.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 | ||
| 申请号 | CN201510100794.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105987757A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李志刚;欧毅;傅剑宇;尚海平;欧文;陈大鹏 |
| 主分类号 | G01J5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/00(2006.01)I;G01N21/3581(2014.01)I |
| 专利有效期 | 太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 至太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种太赫兹焦平面阵列，包括框架、悬臂梁和吸收结构；其中，吸收结构，包括依次层叠的第一金属层、第一介质层和金属方块阵列；悬臂梁，两个悬臂梁分别位于金属方块阵列的相对侧，每个悬臂梁为由纵部和横部首尾依次连接形成的多材料形变梁，其一端与框架固定连接，另一端与吸收结构固定连接。该太赫兹焦平面阵列形成了超材料的谐振腔，对能量低的太赫兹辐射有较强的吸收能力。 | ||
交易流程
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