专利详情

专利名称	一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片
申请号	CN201820325539.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207882196U	公开（授权）日	2018.09.18
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	蔚文婧
主分类号	G01N27/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/00(2006.01)I
专利有效期	一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片至一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片，包括：柔性基底、微电极、引线、多个焊盘和绝缘层；其中，多个所述微电极以阵列形式植于所述柔性基底上并突出于所述柔性基底的上表面；所述微电极均通过引线连接到处于所述柔性基底边缘的多个焊盘；所述引线的表面覆盖有绝缘层；所述柔性基底内设有微沟道，所述微沟道的第一端口位于所述柔性基底的上表面，与外界连通，第二端口位于所述柔性基底的侧面，与外界连通。本实用新型集成芯片集成了离体多通道记录电生理信号、多位点给药刺激功能，生物相容性好、性能稳定、重复性好、使用方便。