一种激光加工晶圆的方法及装置
- 申请号:CN201710574488.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN107234343A
- 公开(公开)日:2017.10.10
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | ||
申请号 | CN201710574488.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107234343A | 公开(授权)日 | 2017.10.10 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 张紫辰;侯煜;刘嵩 |
主分类号 | B23K26/364(2014.01)I | IPC主分类号 | B23K26/364(2014.01)I |
专利有效期 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 至一种激光加工晶圆的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置,所述方法包括:设置激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的预设槽形信息;根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布;根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑,用以对晶圆上表面Low?K层进行刻蚀并形成预设槽形。本发明能够根据后续的加工工艺需求确定激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的槽形并形成预设槽形信息,然后通过设置元件设置上述预设槽形信息,并由所述预设槽形信息经控制器匹配到最佳的拓扑图案分布,进而使得在晶圆上表面Low?K层刻蚀形成的凹槽更加均匀,热影响区更小且均一性更高。 |
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