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一种激光加工晶圆的方法及装置

  • 申请号:CN201710574488.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN107234343A
  • 公开(公开)日:2017.10.10
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种激光加工晶圆的方法及装置
申请号 CN201710574488.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107234343A 公开(授权)日 2017.10.10
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 张紫辰;侯煜;刘嵩
主分类号 B23K26/364(2014.01)I IPC主分类号 B23K26/364(2014.01)I
专利有效期 一种激光加工晶圆的方法及装置 至一种激光加工晶圆的方法及装置 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置,所述方法包括:设置激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的预设槽形信息;根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布;根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑,用以对晶圆上表面Low?K层进行刻蚀并形成预设槽形。本发明能够根据后续的加工工艺需求确定激光光束在晶圆上表面Low?K层上加工后需形成的槽形并形成预设槽形信息,然后通过设置元件设置上述预设槽形信息,并由所述预设槽形信息经控制器匹配到最佳的拓扑图案分布,进而使得在晶圆上表面Low?K层刻蚀形成的凹槽更加均匀,热影响区更小且均一性更高。

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