专利详情

专利名称	硅基纳米柱阵列的制备方法
申请号	CN201510845784.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106809798A	公开（授权）日	2017.06.09
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张建军;李丰
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	硅基纳米柱阵列的制备方法至硅基纳米柱阵列的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基纳米柱阵列的制备方法，包括：在硅片的表面上形成硅锥阵列，所述硅锥阵列包括若干个硅锥；在硅锥阵列的硅锥之间制备牺牲层；其中，所述牺牲层的顶端不超过硅锥阵列的顶端；在牺牲层和硅锥阵列上沉积金属，以在牺牲层的表面上形成第一金属层以及在硅锥阵列的表面上形成第二金属层；剥离牺牲层和第一金属层；以第二金属层为掩膜，刻蚀覆盖有第二金属层的硅片，得到硅基纳米柱阵列。根据本发明的硅基纳米柱阵列的制备方法，以覆盖在硅锥阵列表面上的第二金属层为掩膜，采用感应耦合等离子刻蚀工艺，交替使用SF₆和C₄F₈进行刻蚀和钝化，制备得到了硅基纳米柱阵列；该硅基纳米柱阵列中的纳米柱的直径以及阵列间距可调。