单行载流子光探测器结构及其制作方法
- 申请号:CN201611059090.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN106784132A
- 公开(公开)日:2017.05.31
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 单行载流子光探测器结构及其制作方法 | ||
申请号 | CN201611059090.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106784132A | 公开(授权)日 | 2017.05.31 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 姚辰;张戎;曹俊诚 |
主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
专利有效期 | 单行载流子光探测器结构及其制作方法 至单行载流子光探测器结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种单行载流子光探测器结构及其制作方法,利用分步腐蚀的方法,制作出收集层面积比吸收层面积小的光探测器结构,使得器件电容大大减小,在相同吸收层厚度条件下,提高了器件的RC响应带宽,进而提高了器件的总带宽;在相同收集层面积及相同吸收层厚度的条件下(RC带宽、渡越带宽相同),器件具有更大的吸收层面积,因而具有更大的响应度,可以在更高入射光功率下工作,在高速高功率应用中性能提升更为明显,适用于太赫兹信号产生、高速光通信中的光接收等领域。 |
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