专利详情

专利名称	具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法
申请号	CN201611180940.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106684180A	公开（授权）日	2017.05.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	宋国峰;吴浩越;李健;江宇;于海龙;付东;徐云;朱海军
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法至具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。