专利详情

专利名称	硅基太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201610362000.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106024927A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	于静;叶继春;高平奇;韩灿;何坚
主分类号	H01L31/032(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/032(2006.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	硅基太阳能电池及其制备方法至硅基太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出的一种硅基太阳能电池，包括依次层叠的空穴传输层、第一钝化层、n型硅片，其特征在于所述空穴传输层材料选自碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种。上述硅基太阳能电池，采用高功函数材料作为空穴传输层取代p型掺杂层，低功函数材料作为电子传输层取代n型掺杂层，制备的非掺杂异质结空穴传输层与钝化层或硅片直接接触，耗尽区界面会形成强反型层，通过能带平齐与能带弯曲实现光生载流子向对应方向流动，以实现其有效分离，降低接触电阻和复合速度，带间缺陷态也会受到强反型层的屏蔽作用，从而使电池的开路电压增大，相应地电池转换效率升高。