专利详情

专利名称	双吡咯并吡咯二酮聚合物的制备方法与应用
申请号	CN201610330560.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105968326A	公开（授权）日	2016.09.28
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	刘云圻;杨杰;王翰林;姜莹莹;刘洪涛;王帅
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
专利有效期	双吡咯并吡咯二酮聚合物的制备方法与应用至双吡咯并吡咯二酮聚合物的制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双吡咯并吡咯二酮聚合物制备方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C₁～C₄₀的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；合成方法具有普适性。以本发明的双吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为2.05cm²V^?1s^?1，开关比大于10⁶，电子迁移率最高为1.81cm²V^?1s^?1，开关比大于10³，在双极性有机场效应晶体管器件中有良好的应用前景。