一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪
- 申请号:CN201610266441.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号:CN105929149A
- 公开(公开)日:2016.09.07
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 | ||
申请号 | CN201610266441.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN105929149A | 公开(授权)日 | 2016.09.07 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明(设计)人 | 刘春秀;贾建;蔡浩原;刘昶 |
主分类号 | G01N33/53(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/53(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G01N21/55(2014.01)I |
专利有效期 | 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 至一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪,其特征在于,其包括:电控双磁场富集分离系统、光学检测系统和恒温加热系统,所述电控双磁场富集分离系统用于产生交替的磁场,以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集;所述光学检测系统采用全内反射检测技术,以实现光学图像的检测和分析处理;所述恒温加热系统包括温度传感器和加热片,用于控制检测环境的温度。本发明的检测仪采用电控双磁场技术、全内反射光学检测技术和图像分析软件技术,实现样品中低浓度物质的自动快速检测,仪器便携、一步操作、简单快捷。 |
交易流程
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