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一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪

  • 申请号:CN201610266441.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
  • 公开(公开)号:CN105929149A
  • 公开(公开)日:2016.09.07
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪
申请号 CN201610266441.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105929149A 公开(授权)日 2016.09.07
申请(专利权)人 中国科学院电子学研究所 发明(设计)人 刘春秀;贾建;蔡浩原;刘昶
主分类号 G01N33/53(2006.01)I IPC主分类号 G01N33/53(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G01N21/55(2014.01)I
专利有效期 一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 至一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪,其特征在于,其包括:电控双磁场富集分离系统、光学检测系统和恒温加热系统,所述电控双磁场富集分离系统用于产生交替的磁场,以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集;所述光学检测系统采用全内反射检测技术,以实现光学图像的检测和分析处理;所述恒温加热系统包括温度传感器和加热片,用于控制检测环境的温度。本发明的检测仪采用电控双磁场技术、全内反射光学检测技术和图像分析软件技术,实现样品中低浓度物质的自动快速检测,仪器便携、一步操作、简单快捷。

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