专利详情

专利名称	金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管
申请号	CN201610306028.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105914158A	公开（授权）日	2016.08.31
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	金智;毛达诚;王少青;彭松昂;史敬元;张大勇
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I
专利有效期	金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管至金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转移石墨烯到透明衬底上，旋涂光刻胶，采用从背面曝光的方式，利用已有的下层金属作为光刻掩模，实现上层金属的自对准图形；沉积金属，自对准地形成金属与石墨烯双面接触结构。本发明的方法可以有效保证上下层金属的对准结构，减小石墨烯和金属之间的接触电阻，从而提高石墨烯电子器件的性能。