专利详情

专利名称	利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法
申请号	CN201610527906.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105895801A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	欧欣;游天桂;黄凯;贾棋;伊艾伦;王曦
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法至利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，以得到氧化物单晶薄膜，并使得到的氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明有效地降低了剥离及转移薄膜所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；同时，使用该方法还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。