专利详情

专利名称	一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法
申请号	CN201610300740.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105895575A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I
专利有效期	一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法至一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，于所述顶层硅表面形成绝缘层；2）于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；3）刻蚀所述绝缘层，形成贯穿至所述顶层硅的凹槽；4）提供一硅衬底，键合所述硅衬底及所述绝缘层；5）去除所述底层硅；6）去除所述埋氧层。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽完全贯穿于顶层硅及底层硅之间，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明的衬底制备过程中，在保证材料质量的同时，避免了Smart?cut方法中的退火剥离步骤，从而避免了图形化区域的顶层硅因受到较大应力而出现破损的问题。