专利详情

专利名称	相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
申请号	CN201610178596.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105869671A	公开（授权）日	2016.08.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王月青;蔡道林;陈一峰;宋志棠;魏宏阳;霍如如
主分类号	G11C13/00(2006.01)I	IPC主分类号	G11C13/00(2006.01)I
专利有效期	相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法至相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元。其中，在一次初始化后，可进一步验证初始化效果，并根据需要选择是否需要再次初始化。本发明使用初始化写脉冲，对阵列各单元的FCC晶粒区域进行控制，可以有效提高阵列平均写电阻，降低写电流，同时使得相变存储阵列的电阻分布更加集中。