专利详情

专利名称	一种铁基化合物超导薄膜的制备方法
申请号	CN201610186647.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105839056A	公开（授权）日	2016.08.10
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	徐中堂;马衍伟;原蒲升
主分类号	C23C14/28(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/28(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	一种铁基化合物超导薄膜的制备方法至一种铁基化合物超导薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种铁基化合物超导薄膜的制备方法。把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10^?5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10^?5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为3.5cm～5.5cm。所述的铁基超导化合物靶材为FeSe_1?xTe_x，0.1<x<0.9或Ba(Fe_1?xCo_x)₂As₂，0.05<x<0.9或BaFe₂(As_1?xP_x)₂，0.1<x<0.9。