鳍式场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201410838568.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105810729A
- 公开(公开)日：2016.07.27
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201410838568.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105810729A | 公开（授权）日 | 2016.07.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许淼;朱慧珑;赵利川 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 至鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供具有鳍的半导体衬底，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅器件两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；进行离子注入，在开口下的鳍内形成穿通停止层，同时，在源漏区内侧的鳍中形成反射掺杂层；在开口中形成替代栅。本发明减小了结漏和结电容，有利于改善器件的阈值电压，尤其在器件尺寸不断缩小时，可抑制阈值电压的卷曲，改善器件的短沟道效应。 | ||
交易流程
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专利 -
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