GaN基LED器件
- 申请号：CN201820059394.1
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN207765474U
- 公开(公开)日：2018.08.24
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | GaN基LED器件 | ||
| 申请号 | CN201820059394.1 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN207765474U | 公开（授权）日 | 2018.08.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 |
| 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 专利有效期 | GaN基LED器件 至GaN基LED器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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