专利详情

专利名称	开关电容式ISFET信号读取电路及其控制方法
申请号	CN201710084922.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106921374A	公开（授权）日	2017.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨翎;张雪莲;张强;李钊;节俊尧;俞育德
主分类号	H03K17/687(2006.01)I	IPC主分类号	H03K17/687(2006.01)I;H03K19/20(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I
专利有效期	开关电容式ISFET信号读取电路及其控制方法至开关电容式ISFET信号读取电路及其控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种开关电容式ISFET(离子敏场效应晶体管)信号读取电路及其控制方法。所述信号读取电路包括离子敏场效应晶体管，放大模块和时序控制模块，所述放大模块至少包括三个开关、两个电容和一个放大器。本发明通过改进传统ISFET信号读取电路和提出新的控制方法，实现了在芯片内部对生化信号进行片内低倍放大的功能；信号放大后，对生化信号的获取可以更加准确，所采集的信号精度更高；同时因为本发明的信号读取电路结构中只使用了一个运算放大器，而传统的“钳位电路”中至少需要两个运算放大器，因而本发明披露的信号读取电路的电路功耗显著降低；本发明尤其适合应用于高通量的生化器件，例如测序仪芯片等。