专利详情

专利名称	高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构
申请号	CN201710025410.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106847494A	公开（授权）日	2017.06.13
申请（专利权）人	中国科学院上海应用物理研究所	发明（设计）人	何永周
主分类号	H01F41/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I
专利有效期	高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构至高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构，其中所述永磁体制备方法包括：S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm 2.5mm的永磁体；S2，在所述永磁体的表面覆盖TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。本发明解决了现有技术中永磁体内禀矫顽力的一致性欠佳、永磁体取向厚度未优化等问题。