专利详情

专利名称	一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法
申请号	CN201610955028.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106653957A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	李敬;孟祥敏;田利丰;夏静
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I
专利有效期	一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法至一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件，包括背电极、半导体衬底、半导体有源结构、第一介质层、金属电极和波导结构、定向耦合结构、第二介质层、石墨烯结构以及石墨烯的金属电极和波导结构。通过电注入半导体量子阱材料，以近场耦合作用的方式激发金属和半导体介质界面的表面等离激元，并使之定向耦合输出后在金属?介质波导上传播，实现表面等离激元的电致激发。利用石墨烯载流子浓度随所施加栅电压变化而使得费米能级、介电常数随之变化的特性，在金属电极、第二介质层和石墨烯构成的类场效应管结构中，通过石墨烯所加电压实现对电致激发表面等离激元传播的宽带、高速调制。