专利详情

专利名称	一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法
申请号	CN201610436198.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106399937A	公开（授权）日	2017.02.15
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	丁发柱;商红静;古宏伟;屈飞;张贺;张慧亮;董泽斌
主分类号	C23C14/06(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I
专利有效期	一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法至一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法	法律状态	公开
说明书摘要	一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi₂Te₃)合金靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶放在衬底上；调整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10^?4Pa～7.5x10^?4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至350℃～450℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件下开始溅射镀膜；最后对溅射的薄膜在250℃～350℃的退火处理，形成择优取向碲化铋热电薄膜。