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一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法

  • 申请号:CN201610842272.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN106283175A
  • 公开(公开)日:2017.01.04
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法
申请号 CN201610842272.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106283175A 公开(授权)日 2017.01.04
申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天
主分类号 C30B9/12(2006.01)I IPC主分类号 C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I
专利有效期 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 至一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3,其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解,并增强了高温溶剂对溶质的溶解;有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度,使得其生长温度在500℃以下,较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低,有效地节约了能源;反应采用密闭容器,优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬,极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗;整个方法简单易操作,有利于推广。

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