一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法
- 申请号:CN201610842272.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN106283175A
- 公开(公开)日:2017.01.04
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 | ||
申请号 | CN201610842272.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106283175A | 公开(授权)日 | 2017.01.04 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天 |
主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I |
专利有效期 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 至一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3,其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解,并增强了高温溶剂对溶质的溶解;有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度,使得其生长温度在500℃以下,较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低,有效地节约了能源;反应采用密闭容器,优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬,极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗;整个方法简单易操作,有利于推广。 |
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