专利详情

专利名称	窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法
申请号	CN201510144900.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106145082A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	姚亚刚;唐磊
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法至窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。在一较佳实施例之中，该制备方法包括：采用含钼的前躯体溶液在高温下分解并被H₂还原后呈现固态的高熔点金属钼作为催化剂，在St?Cut石英基底上利用化学气相沉积法(Chemical?Vapor?Deposition,CVD)制备窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列。利用本发明的技术能实现单壁碳纳米管水平阵列的手性可控制备，且工艺简单易操作，所获产物为具有良好形貌的窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列，在微纳电子器件、光学器件、化学生物传感器等领域有广阔的应用前景。