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一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用

  • 申请号:CN201610051630.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN106046328A
  • 公开(公开)日:2016.10.26
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用
申请号 CN201610051630.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106046328A 公开(授权)日 2016.10.26
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 张志国;宾海军;李永舫
主分类号 C08G61/12(2006.01)I IPC主分类号 C08G61/12(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I
专利有效期 一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用 至一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种硅烷取代的二维共轭聚合物及其制备方法与在光伏器件中的应用。二维共轭聚合物的结构式如式I所示,式I中,Ar1为共轭芳环或由所述共轭芳环构筑形成的稠环,所述共轭芳环为噻吩、并噻吩、苯环、呋喃或硒吩;R1、R2和R3均独立地选自硅烷基、H、卤素、烷氧基和烷硫基中任一种,且R1、R2和R3中至少一种取代基为硅烷基;所述硅烷基为碳原子数为1~30的直链或支链硅烷基。本发明提供了一种硅烷基取代的二维共轭聚合物,所述材料的光电性能得到了很大的调控,具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级,能够作为电子给体材料与窄带n-型小分子受体材料匹配,应用于非富勒烯聚合物太阳能电池器件。

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