专利详情

专利名称	一种新型量子霍尔器件及其制备方法
申请号	CN201610552773.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106025061A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;谢晓明;江绵恒
主分类号	H01L43/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/04(2006.01)I;H01L43/06(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;H01L39/12(2006.01)I
专利有效期	一种新型量子霍尔器件及其制备方法至一种新型量子霍尔器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法，包括：1)提供一衬底，在所述衬底表面形成第一超导薄膜层；2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层；3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层；4)在所述步骤3)形成的结构表面自下而上依次形成第二介电薄膜层和第二超导薄膜层；5)在所述衬底表面形成金属电极，所述金属电极与石墨烯层或半导体薄膜层接触。本发明基于二维材料和微电子加工工艺，在该器件中采用两层超导薄膜，利用超导材料对磁场的屏蔽特性，控制作用于器件的磁场大小，当超导薄膜较薄时，屏蔽部分外加磁场，剩余的磁力线形成周期磁场作用于超导薄膜，使其工作在正常态向超导态转变的区间，形成量子器件，在实现量子器件高速低功耗的同时，降低器件制备的技术难度。