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在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法

  • 申请号:CN201510082868.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN105986321A
  • 公开(公开)日:2016.10.05
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法
申请号 CN201510082868.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105986321A 公开(授权)日 2016.10.05
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 贾少鹏;何巍;陆书龙
主分类号 C30B29/42(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/42(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 至在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法,包括步骤:S101、选取Ge衬底置于反应腔室中;S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层;S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层,对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺,直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状;S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。该方法能够促进Ge衬底和GaAs外延薄膜之间的反相畴自湮灭,提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。

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