在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法
- 申请号：CN201510082868.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN105986321A
- 公开(公开)日：2016.10.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201510082868.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105986321A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 贾少鹏;何巍;陆书龙 |
| 主分类号 | C30B29/42(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/42(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 至在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。该方法能够促进Ge衬底和GaAs外延薄膜之间的反相畴自湮灭，提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。 | ||
交易流程
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