专利详情

专利名称	一种自选通阻变存储器件及其制备方法
申请号	CN201610282626.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105826468A	公开（授权）日	2016.08.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吕杭炳;刘明;许晓欣;罗庆;刘琦;龙世兵
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	一种自选通阻变存储器件及其制备方法至一种自选通阻变存储器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种自选通阻变存储器件及其制备方法，该自选通阻变存储器件包括：下电极；绝缘介质层，与所述下电极垂直交叉设置形成堆叠结构，所述堆叠结构中设置有一垂直沟槽；选通层，通过自对准技术生长在所述下电极上，其中，流经所述选通层的层间漏电通道由所述绝缘介质层隔绝；电阻转变层，设置在所述垂直沟槽中，与所述绝缘介质层和所述选通层相接；上电极，设置在所述电阻转变层内。上述技术方案提供的存储器件，通过自对准技术在下电极上生长选通层，使得流经选通层的层间漏电通道由绝缘介质层隔绝，避免了上下层字线通过选通层漏电，从而解决了现有技术中自选通阻变存储器件的上下层字线间漏电的技术问题，提高器件的可靠性。