专利详情

专利名称	一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件
申请号	CN201610228764.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105762088A	公开（授权）日	2016.07.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	云世昌;焦斌斌;张乐民;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I
专利有效期	一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件至一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，先在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形，然后基于第一键合金属图形制作器件保护结构；器件保护结构包括第一槽型腔体，第一槽型腔体的底面为第一键合金属图形；然后在第二器件结构上制作出第二键合金属图形之后，在第一槽型腔体中对第一器件结构和第二器件结构进行金属共晶键合。由于器件保护结构包括第一槽型结构，因此在进行金属共晶键合时，可将金属共晶键合时外溢的液相合金流入第一槽型腔体内，会对外溢的液相合金起到阻隔作用，使之无法自由滚动，从而有效避免外溢的液相合金扩散到器件结构区域。此方式不但提高金属键合的气密等级，而且提高了MEMS器件生产制造的良率。