专利详情

专利名称	一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片
申请号	CN201610236574.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105762209A	公开（授权）日	2016.07.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	胡晓宁;张姗;樊华;廖清君;叶振华;林春;丁瑞军;何力
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I
专利有效期	一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片至一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p?n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。