专利详情

专利名称	电子元器件低温电学性能测试装置
申请号	CN201721350534.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207650285U	公开（授权）日	2018.07.24
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	郭国平;路腾腾;李臻;雒超
主分类号	G01R31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)I
专利有效期	电子元器件低温电学性能测试装置至电子元器件低温电学性能测试装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种电子元器件低温电学性能测试装置，包括：低温测试杆，设有走线管，走线管中间设有密封组件；测量电路装置一端设待测电子元器件连接装置，另一端设测量仪器连接头，待测电子元器件连接装置设在低温测试杆底端，测量仪器连接头设在低温测试杆顶端，待测电子元器件连接装置与测量仪器连接头经穿设在低温测试杆的走线管内的线缆电气连接，待测电子元器件连接装置设有连接待测电子元器件的接口；测量仪器，与设在低温测试杆顶端的测量仪器连接头电气连接。该测试装置不仅接线简单，便于待测电子元器件固定，也能保证连接点更稳固，也方便测试液氮低温环境的密封以及测试端与测试仪器连接端的隔离，保证测试效果，提升测试效率。