一种光吸收结构
- 申请号：CN201721630177.5
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院西安光学精密机械研究所
- 公开(公开)号：CN207639083U
- 公开(公开)日：2018.07.20
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种光吸收结构 | ||
| 申请号 | CN201721630177.5 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN207639083U | 公开（授权）日 | 2018.07.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 王超;白永林;王屹山;赵卫;田进寿 |
| 主分类号 | H05K9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H05K9/00(2006.01)I;H01Q17/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种光吸收结构 至一种光吸收结构 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型提出了一种光吸收结构，可实现对外来电磁辐射的宽频带、高效率吸收。该光吸收结构包括由内而外依次设置的支撑层、金属薄膜层、陷阱层和由薄膜基底及其内嵌金属纳米颗粒构成的纳米复合层，其中内嵌金属纳米颗粒的体填充因子在5～30％范围，满足入射电磁辐射在内嵌金属纳米颗粒表面引发表面等离子体效应，同时入射电磁辐射在金属薄膜层与陷阱层界面处形成表面等离子体，两种在空间上分离的等离子体在陷阱层中进行对称等离子体耦合作用。本实用新型兼备宽吸收频带和高吸收效率，同时可大大抑制吸波特性对电磁辐射入射角度的敏感度。 | ||
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