一种霍尔基片结构及霍尔传感器
- 申请号：CN201721830326.2
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN207624732U
- 公开(公开)日：2018.07.17
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 | ||
| 申请号 | CN201721830326.2 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN207624732U | 公开（授权）日 | 2018.07.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陆江;刘海南;卜建辉;张国欢;罗家俊 |
| 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/04(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 至一种霍尔基片结构及霍尔传感器 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本申请实施例提供的一种霍尔基片结构及霍尔传感器，涉及半导体器件技术领域，所述锁存器包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。 | ||
交易流程
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