专利详情

专利名称	一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构
申请号	CN201721811773.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207624699U	公开（授权）日	2018.07.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张国峰;王永良;张雪;荣亮亮;王镇;谢晓明
主分类号	H01L27/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/18(2006.01)I;H01L39/04(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;G01R33/035(2006.01)I
专利有效期	一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构至一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。