专利详情

专利名称	一种绝缘栅双极晶体管
申请号	CN201721830403.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207624704U	公开（授权）日	2018.07.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陆江;刘海南;蔡小五;卜建辉;罗家俊
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘栅双极晶体管至一种绝缘栅双极晶体管	法律状态
说明书摘要	本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：通过N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方；在无圆胞区域引入肖特基接触的空穴阻挡结构。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。