专利详情

专利名称	一种新型带隙基准电路结构
申请号	CN201710313141.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107066006A	公开（授权）日	2017.08.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	纪书江;霍长兴;刘璟
主分类号	G05F1/56(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/56(2006.01)I
专利有效期	一种新型带隙基准电路结构至一种新型带隙基准电路结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种新型带隙基准电路结构，包括偏置模块，正温度系数电流产生模块，负温度系数电流产生模块，电流加和模块，其中正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管；第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连，第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连；第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。