专利详情

专利名称	一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法
申请号	CN201610695734.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106367717A	公开（授权）日	2017.02.01
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	于乐泳;胡云;孙泰;杨俊;魏大鹏;史浩飞;杜春雷
主分类号	C23C14/04(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/04(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C01B32/182(2017.01)I;C01B32/16(2017.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法至一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法，隶属微纳制造领域。该方法先对生长基底进行图形化处理，再对图形化后的生长基底进行制绒处理，然后采用磁控溅射方法在生长基底上沉积催化剂，再复合生长一维碳纳米管和三维石墨烯，最后将一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料从生长基底上剥离。该方法解决了传统工艺中程序复杂，且不能直接从生长基底剥离的问题，此方法可以直接把图形化后的石墨烯复合材料应用于柔性器件等领域。