专利详情

专利名称	一种应变量子点的制备方法及应变量子点
申请号	CN201610457787.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105977145A	公开（授权）日	2016.09.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;王刚;孙银波;狄增峰;王曦
主分类号	H01L21/265(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/265(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I
专利有效期	一种应变量子点的制备方法及应变量子点至一种应变量子点的制备方法及应变量子点	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H⁺离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H⁺离子或He离子聚集成H₂或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H⁺离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。