专利详情

专利名称	一种二维锡烯材料的制备方法
申请号	CN201610436234.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105951055A	公开（授权）日	2016.09.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋禹忻;王庶民;张振普;李耀耀;张立瑶
主分类号	C23C16/18(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/18(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I
专利有效期	一种二维锡烯材料的制备方法至一种二维锡烯材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α?Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α?Sn晶体薄膜通过sp³化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α?Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp³化学键，所述α?Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp²化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。