专利详情

专利名称	一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法
申请号	CN201610245059.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105906365A	公开（授权）日	2016.08.31
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	袁方利;孙志强
主分类号	C04B38/00(2006.01)I	IPC主分类号	C04B38/00(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I
专利有效期	一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法至一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法。本发明采用硅溶胶包覆陶瓷颗粒的方法，实现颗粒的表面改性，使难以烧结的陶瓷粉体能够在较低温度下发生表面熔融，促进颗粒间烧结传质，形成高强颈部。典型的制备方法是：将注凝成型试剂，包括有机单体，MBAM，(NH₄)₂S₂O₄，TEMED溶解于一定浓度的硅溶胶中，配置为预混液；将原料颗粒放入预混液中，控制pH实现颗粒的包覆；随后将颗粒堆积造孔并置于一定温度下反应聚合固化；最后将生坯进行干燥和低温烧结，得到多孔陶瓷。本发明涉及的低温烧结陶瓷技术，不仅对孔结构不造成损坏，还具有工艺简便的特点，制备的多孔陶瓷可用于高温分离领域。