专利详情

专利名称	低相位噪声射频频率合成电路
申请号	CN201610195107.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105763190A	公开（授权）日	2016.07.13
申请（专利权）人	中国科学院武汉物理与数学研究所	发明（设计）人	邱紫敬
主分类号	H03L7/18(2006.01)I	IPC主分类号	H03L7/18(2006.01)I
专利有效期	低相位噪声射频频率合成电路至低相位噪声射频频率合成电路	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了低相位噪声射频频率合成电路，包括低相噪晶振，低相噪晶振与一级信号放大器的输入端连接，一级信号放大器的输出端与一级SBD三倍频器的输入端连接，一级SBD三倍频器的输出端与二级信号放大器的输入端连接，二级信号放大器的输出端与调制器的第一输入端连接，调制器的第二输入端接入三角波，调制器的输出端与二级SBD三倍频器的输入端连接，二级SBD三倍频器的输出端与三级信号放大器的输入端连接。具有相位噪声低、谐杂波特性优良、易于调试等优点。利用这种电路可显著改善铷频标微波探寻信号的相位噪声，降低交调效应对铷频标频率稳定度的限制。