一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法
- 申请号:CN201610210730.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号:CN106048596A
- 公开(公开)日:2016.10.26
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法 | ||
申请号 | CN201610210730.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106048596A | 公开(授权)日 | 2016.10.26 |
申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 柏春光;谢曦;崔玉友;李铁藩;熊天英;杨锐 |
主分类号 | C23C24/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C24/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法 至一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及陶瓷涂层及表面工程领域,具体为一种Ti2AlC相陶瓷涂层的冷喷涂原位生成制备方法。该方法可应用于能无压烧结合成的MAX相材料体系,具体以一种Ti2AlC陶瓷涂层的制备方法说明。首先将用于烧结制备涂层的原料粉体按所需比例混合,然后加入有机溶剂和粘接剂湿法球磨为料浆。用喷雾干燥造粒法将浆料干燥成球形原料粉末。将原料粉末用冷气动力喷涂装置沉积在所需制备涂层的基材上,将沉积的基材和涂层在真空气氛下烧结就能得到原位生成的MAX相陶瓷涂层。本发明通过冷喷涂原位生成制备MAX相涂层的方法具有制备的涂层厚度高质量好,粉体沉积速度快,过程无MAX相分解反应发生,使用方便适合大规模应用等特点。 |
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