专利详情

专利名称	一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构
申请号	CN201610406792.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105908254A	公开（授权）日	2016.08.31
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	杨建荣;徐超
主分类号	C30B25/08(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/08(2006.01)I
专利有效期	一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构至一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等辅助手段，该工艺腔体能有效减小腔体内源材料的泄漏，改善材料制备工艺的稳定性和工艺状态的均匀性。通过对外层套管的设计，并适当选择工艺腔体各部分的温度分布，套管式工艺腔体还具有对泄漏出来的源材料进行收集的功能，减少源材料泄漏对材料制备系统的污染。本发明弥补了普通开管式材料制备工艺中源材料泄漏量大的不足，规避了闭管式材料制备工艺的高成本，特别适用于材料的批生产制备工艺。