专利详情

专利名称	基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法
申请号	CN201610301899.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105789189A	公开（授权）日	2016.07.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	俞文杰;费璐;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦
主分类号	H01L23/64(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法至基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频电感元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹槽；2）通过掩膜光刻于与所述凹槽的对应位置定义器件区域，并刻蚀去除器件区域的顶层硅，露出下方所述绝缘层的上部表面；3）基于CMOS工艺在器件区域制备射频电感元件。本发明基于图形化的绝缘体上硅衬底，通过后期刻蚀得到了具有衬底空腔的电感元件。该器件结构可有效抑制硅衬底导致的电感损耗，并减小寄生电容，有利于提高电感器件的Q值及其谐振频率。