专利详情

专利名称	一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置
申请号	CN201721623900.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207552442U	公开（授权）日	2018.06.29
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	姜辛;刘鲁生;黄楠
主分类号	C23C16/27(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/27(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置至一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种大面积热丝化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长装置。该装置设有密闭的反应腔体，反应腔体内的上部设有气体喷淋环，气体喷淋环通过管路与外部气源连接，反应腔体的外侧设有抽真空系统和真空测控系统；气体喷淋环下方于反应腔体内，平行依次布置热丝、基片、导电层、绝缘层、水冷样品台，基片、导电层、绝缘层叠放于水冷样品台上，水冷样品台通过转轴与外部调速电机相连接。本实用新型可以实现在大面积基片上快速、均匀沉积金刚石薄膜电极，减少反应气体的消耗，沉积过程中能测控热丝的温度、工件表面的温度和反应腔内的压强，能准确控制金刚石薄膜沉积各项主要工艺参数，工艺重复性好。