专利详情

专利名称	一种高集成度高压延迟缓启动装置
申请号	CN201721502102.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207542992U	公开（授权）日	2018.06.26
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	王博;赵卫;白永林;朱炳利;陈震;曹伟伟;缑永胜;白晓红;秦君军
主分类号	H02M1/36(2007.01)I	IPC主分类号	H02M1/36(2007.01)I;H02M1/34(2007.01)I
专利有效期	一种高集成度高压延迟缓启动装置至一种高集成度高压延迟缓启动装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种高集成度高压延迟缓启动装置，能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动，避免高压过冲对光电探测器的损坏。该装置包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管；通过在“高压幅值控制端”和“高压电源”之间加入缓启动电路，其中利用RC充放电、MOS管可变阻值以及光控MOS管的结合，当MOS管Q1栅端为有效高电平，MOS管Q3跟随MOS管Q2状态缓变化，使得光控MOS管中MOS管导通，这时高压幅值控制端被强拉于“地”，随后发光二极管发光逐渐减弱，MOS由导通变为截止，高压幅值控制端缓慢变为有效输入端，则后端高压电源缓慢启动。