专利详情

专利名称	高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片
申请号	CN201721683340.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207529952U	公开（授权）日	2018.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	曹高奇;邵秀梅;李雪;杨波;邓双燕;程吉凤;于一臻;龚海梅
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片至高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。