专利详情

专利名称	一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器
申请号	CN201721728253.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207529955U	公开（授权）日	2018.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王林;唐伟伟;刘昌龙;郭万龙;陈效双
主分类号	H01L31/119(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/119(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I
专利有效期	一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器至一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种室温拓扑绝缘体太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、硒化铋薄膜、对数天线和金属源漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的具有丰富表面态硒化铋薄膜转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离工艺制备对数天线和金属电极作为源极和漏极，形成硒化铋薄膜场效应晶体管结构。器件在太赫兹光的照射下硒化铋薄膜表面态电子与晶格发生不对称性散射，进而实现室温快速的太赫兹的探测。该太赫兹探测器具有高速、宽频、高响应、高集成度等特点并属于光伏型探测器件，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。