专利详情

专利名称	一种二维范德华异质结光电探测器
申请号	CN201721095156.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207529954U	公开（授权）日	2018.06.22
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩
主分类号	H01L31/109(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种二维范德华异质结光电探测器至一种二维范德华异质结光电探测器	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种二维范德华异质结光电探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应。